半導(dǎo)體晶圓CMP研磨盤/拋光盤材料開發(fā)
晶圓CMP研磨盤/拋光盤
32B硅晶圓研磨盤
22B碳化硅晶圓研磨盤
30B低膨脹系數(shù)合金拋光盤
半導(dǎo)體零部件
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產(chǎn)品介紹
性能特點(diǎn)
32B硅晶圓研磨盤
22B碳化硅晶圓研磨盤
30B低膨脹系數(shù)合金拋光盤
◆ 鑄造研磨盤關(guān)鍵特性
研磨盤采用特殊的鑄造熱處理工藝技術(shù)，確保上、下研磨工作面在30 mm 深度范圍內(nèi)實(shí)現(xiàn)零鑄造缺陷;盤面金相組織、硬度與被研磨晶圓材料高度適配，確保晶圓TTV
精度，磨削效率和磨盤使用壽命具備優(yōu)異的競(jìng)爭(zhēng)力。
◆ 低膨脹系數(shù)合金拋光盤關(guān)鍵特性
低膨脹系數(shù)合金拋光盤采用鍛造工藝技術(shù)，替代國(guó)外傳統(tǒng)的半導(dǎo)體鑄造合金拋光盤，完全避免因鑄造缺陷造成內(nèi)部冷卻水道滲水泄漏風(fēng)險(xiǎn);
低膨脹系數(shù)合金材料20-100°C 范圍內(nèi)線性熱膨脹系數(shù)值小于1.5E-06/K;盤面在不同工作溫度下均保持盤型穩(wěn)定可控，保證晶圓拋光TTV
精度和拋光效率。
選型參數(shù)
產(chǎn)品圖紙
